主题：遭遇西方国家技术卡脖子困境，中国宽禁带半导体SiC功率器件产业何去何从？
主讲人：成都海威华芯科技有限公司 黎明副总经理
主持人：英国威廉希尔公司 唐明凤教授
时间：2021年11月28日（周一）13:00—14:00
直播平台及会议ID：腾讯会议，134 997 804
主办单位：英国威廉希尔公司 科研处
主讲人简介：
黎明博士，现任成都海威华芯科技有限公司副总经理，高级工程师，2009年获得中科院微电子研究所微电子与固体电子学博士学位，博士后就职于香港科技大学，致力于GaN、GaAs外延技术研究，2012年加盟成都海威华芯科技有限公司，一直从事三五族化合物半导体芯片制造技术研究。2012年-2015年主持建设了中国第一条6英寸化合物半导体商用生产线，填补了国内在化合物半导体芯片制造领域的空白。作为技术总负责人，带领团队攻破多项大尺寸化合物半导体晶圆制造难题，开发了多款氮化镓、碳化硅、砷化镓射频及功率芯片工艺制程，为国内外多家企业实现代工服务，其6英寸GaN微波功率芯片制造技术获得四川省科技进步奖，并成功入选“成都市产业生态圈人才计划”。作为项目负责人，累计负责承担、完成10余项国家、省市级重点研发项目，获得授权、受理专利60余项，其中发明专利超过30项，发表文章累计40余篇。
内容提要：
在我国半导体行业遭遇西方国家对关键技术进行封锁的时代背景下，本讲座聚焦我国宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件产业，分析该产业如何在复杂的国际环境下持续发展。碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温、高频、抗辐照等应用场合下极为理想的半导体材料。报告结合相关企业目前SiC功率器件的发展，介绍了SiC功率器件的优势、最新进展及发展前景和国产化进程，同时对我国宽禁带半导体SiC功率器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望。
